RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
53
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
53
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2310
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link