RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2370
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KJ9A 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link