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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3535
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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