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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2824
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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