RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2497
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link