RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2910
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link