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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Differenze
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3535
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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