RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
28
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
21
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2833
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link