RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2792
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link