RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
54
Velocità di lettura, GB/s
13.3
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
1904
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link