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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3744
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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