RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3446
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link