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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
49
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
24
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2484
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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