RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3090
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link