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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
10.9
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3723
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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