RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
49
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
22
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3192
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link