RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
49
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
17
Velocità di lettura, GB/s
10.9
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3829
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link