RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2892
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link