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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
37
Velocità di lettura, GB/s
10.9
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2230
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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