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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
37
Velocità di lettura, GB/s
10.9
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2026
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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