RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Confronto
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
48
Intorno -33% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
36
Velocità di lettura, GB/s
10.9
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2496
2090
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CMP4GX3M2B1600C8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link