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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3023
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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