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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
51
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3318
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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