RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
79
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
7.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
4.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
79
Velocità di lettura, GB/s
9.8
7.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1671
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link