RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2586
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link