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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3091
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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