RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2460
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link