RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3447
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link