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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3462
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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