RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
51
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3215
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link