RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3755
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link