RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
51
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
45
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2841
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link