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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2935
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
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