RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
51
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
37
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2814
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link