RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
51
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
35
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3299
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link