RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
51
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
36
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2734
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link