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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3116
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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