RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
53
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
53
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3020
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link