RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3772
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link