RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
83
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
83
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1752
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link