RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3866
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link