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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3698
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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