RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2974
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link