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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2974
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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