RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
51
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.2
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
48
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2190
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link