RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2913
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link