RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
5.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
51
Intorno -24% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
41
Velocità di lettura, GB/s
9.8
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
5.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1704
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link