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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2489
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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