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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3324
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
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