RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
10.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2918
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link