RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2982
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link